Transistor MJE13001

Especificaciones:

• Polaridad del transistor: NPN
• Voltaje colector base VCBO: 600 V
• Tensión colector emisor VEBO: 400 V
• Voltaje emisor base VEBO: 7 V
• Corriente de colector DC Ic: 200 mA
• Disipación de potencia Pc (Tc=25°C): 750 mW
• Frecuencia de transición ft: 8 MHz
• Temperatura de operación mínima: -65 °C
• Temperatura de operación máxima: 200 °C
• Encapsulado: TO-92
• 3 pines