Transistor IRFZ34N

Especificaciones: 

• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 26 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 100 A
• Corriente de avalancha IAR: 16 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 56 W
• Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.040 Ohms
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 175 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número de pines: 3