Transistor IRF840 | MOSFET CANAL N 500V 8A

Especificaciones: 

• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID: 8 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 32 A
• Corriente de avalancha IAR: 8 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 W
• Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.85 Ω
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número: 3