Transistor IRF740 | MOSFET CANAL N 400V 10A

Especificiones: 

• Polaridad: Canal-N
• Voltaje de drenaje-fuente Vds: 400 V
• Intensidad drenador continua Id:10 A
• Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Disipación de potencia Pd: 125 W
• Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.55 ohms
• Temperatura mínima de operación: -55°C
• Temperatura máxima de operación: 150°C
• Encapsulado TO-220
• 3 pines