Transistor IRF640N | MOSFET Canal N 200V 18A

Especificaciones: 

• Polaridad de transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
• Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 18 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A
• Corriente de avalancha IAR: 18 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W
• Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.13 ohm
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 175 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número de pines: 3