Transistor BJT de Potencia PNP 15 A 230 V TO-3P – Toshiba Serie 2S

Descripción: El transistor bipolar de potencia (BJT-2SA1943N(S1,E,S)) serie 2SA de es un transistor PNP diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren manejo de corrientes elevadas y altos voltajes. Soporta una corriente continua de colector de hasta 15 A y un voltaje colector-emisor máximo de 230 V, con un desempeño robusto en aplicaciones industriales. Su encapsulado TO-3P-3 through-hole permite un montaje eficiente sobre disipador, siendo el complementario PNP ideal para etapas push-pull junto con transistores NPN de la serie 2SC.

Características del producto:
• Fabricante / Marca: Toshiba
• Serie: 2SA
• Categoría: Bipolar Transistors – BJT
• Tipo de producto: Transistor BJT de potencia
• Polaridad: PNP
• Configuración: Single
• Tecnología: Silicio (Si)
• Encapsulado: TO-3P-3
• Estilo de montaje: Through Hole
• Corriente máxima de colector (DC / continua): −15 A
• Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 230 V
• Voltaje colector-base VCBO: 230 V
• Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
• Voltaje de saturación VCE(sat): 1.5 V
• Ganancia de corriente DC (hFE): 55 – 160
• Producto ganancia-ancho de banda (fT): 30 MHz
• Temperatura de operación: −55 °C a +150 °C
• Peso unitario: 0.246918 oz

Ventajas:
• Alta capacidad de corriente y voltaje para aplicaciones exigentes.
• Ideal como transistor complementario PNP en etapas de salida.
• Buen desempeño térmico con disipador adecuado.
• Confiabilidad y calidad Toshiba para electrónica de potencia.

Aplicaciones:
• Etapas de salida push-pull (audio y potencia).
• Fuentes de alimentación lineales y conmutadas.
• Control de motores y cargas industriales.
• Reguladores y amplificadores de potencia.

Notas técnicas:
• Requiere disipador térmico para operación a corrientes elevadas.
• La VCE(sat) es mayor que en su complementario NPN, considerar en diseños de eficiencia.