Transistor BJT de Potencia NPN 15 A 230 V TO-3P – Toshiba Serie 2SC

Descripción: El transistor bipolar de potencia (BJT - 2SC5200-O(Q)) serie 2SC de es un transistor NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones industriales y de potencia que requieren alta corriente, alto voltaje y excelente disipación térmica. Soporta una corriente continua de colector de hasta 15 A y un voltaje colector-emisor máximo de 230 V, con una potencia disipada de hasta 150 W. Su encapsulado TO-3P-3 through-hole facilita el montaje en disipadores, siendo ideal para fuentes de poder, etapas de salida y control de cargas exigentes.

Características del producto:
• Fabricante / Marca: Toshiba
• Serie: 2SC
• Categoría: Bipolar Transistors – BJT
• Tipo de producto: Transistor BJT de potencia
• Polaridad: NPN
• Configuración: Single
• Tecnología: Silicio (Si)
• Encapsulado: TO-3P-3
• Estilo de montaje: Through Hole
• Corriente máxima de colector (DC / continua): 15 A
• Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 230 V
• Voltaje colector-base VCBO: 230 V
• Voltaje emisor-base VEBO: 5 V
• Voltaje de saturación VCE(sat): 400 mV
• Potencia disipada (Pd): 150 W
• Ganancia de corriente DC (hFE): 55 – 160
• Producto ganancia-ancho de banda (fT): 30 MHz
• Temperatura máxima de operación: +150 °C
• Peso unitario: 0.239863 oz

Ventajas:
• Alta capacidad de corriente y voltaje para aplicaciones de potencia.
• Baja VCE(sat) que mejora la eficiencia.
• Excelente desempeño térmico con disipador adecuado.
• Alta confiabilidad respaldada por Toshiba.

Aplicaciones:
• Fuentes de alimentación lineales y conmutadas.
• Amplificadores de potencia y etapas de salida.
• Control de motores y cargas industriales.
• Reguladores de potencia y equipos industriales.

Notas técnicas:
• Requiere disipador térmico para operación cercana a la potencia máxima.
• Los valores eléctricos dependen de las condiciones de prueba especificadas en la hoja de datos.