Transistor 50N06 | Mosfet Canal N IRF50N06

Especificaciones:

• Polaridad del transistor: Canal-N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 50 V
• Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±10
• Voltaje de drenaje a puerta VDGR:50 V
  
• Corriente continua de drenaje ID:  50 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 130 A
  
• Disipación de potencia máxima PD: 110 W
• Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.022 ohms
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
  
• 3 pines